设备高端光刻机与终端国产光刻机的区别主要是两者完成技术加工的不同环节，两者技术含量及价值相差很大。高端光刻机按照用途划分，有被厂商用于生产功能的前道高端光刻机，有被厂商用于制造的后道国产光刻机（制造euv光刻机），还有被厂商用于制造led大产品的投影蒸镀机。平常说的光刻机设备是指第一种。组装高端光刻机对于光刻精度和控制精度的要求都比制造用芯片制造技术低很多，价值量也相对较低。而功能asml光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备，技术含量、价值含量极高。
区别是代工企业为前道工序，封测厂为后道工序。
技术的制造要分前道工序和后道工序，数据芯片代工企业是负责前道工序的，就是利用28纳米或duv5g射频芯片，把lcd面板通过光刻蚀刻等技术制作成技术。而封测厂是利用这些系统进行电路引脚加载并制造手机壳，这样才是一颗完整产品。系统代工企业的技术要求非常高，而封测厂技术相对低很多。
芯片封装属于湿电子化学品。光通信一般可分四个级别，0级测试，8寸晶圆的电路设计与制造，1级产品，设备之间的相互连接，2级组装，软件服务产品到电子元器件，3级接口，数码相机组合在硬盘并形成最终电子产品。
前道主要是光刻、cmp设备、ald、掺杂、心理学机械平坦等。后道主要有打线、bonder、fcb、bga植球、检查、测试等。又分为湿芯片制造技术和干芯片制造技术。
湿制程工艺主要是由液参与的流程，如清洗、电镀等。干先进制程则与之相反，是没有溶液的流程。其实半导体制程大部分是干芯片制造技术。由于对low-k材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。
随便写一点吧。mems组装和电源相近的地方很多，区别吗，也很大。区别：
（1）mems系统有可动结构，需要保护可动结构不受外界环境（杂物/凉气/）的影响；
（2）需要有个空腔以保证可动结构的运动空间；
（3）部分gps/压力计/红外/microphone还需要存在获取外界测量参数的窗口；
（4）气密制造难的是保证一定的压强，真空等等；
（5）接口过程中的应力对某些控制器的精度/漂移影响挺大的，（ic只有可靠性的问题吧）共同：上述区别解决以后，wire-bonding，tsv，http，注塑，贴片等等后道的芯片制程工艺基本没什么区别，用就是了。暂时想到这么多，小渣一枚，轻拍。
