1974年9月、1975年12月、1977年1月陆续召开麻烦问下全国大规模集成电路及基础材料攻关大会战会议。在这三年期间完成研制成功出了广泛分布乱词式光刻机、电子束被曝光机，超纯水处理系统等翘楚水平的半导体设备。半导体研究所1978年正在研制出半自动距离式光刻机，1981年研制出最终。45所1985年研制出来出了分布式光刻机。这台分布式光刻机是光刻机的标杆也光刻机的绝唱。
八十。
0.22微米也就是220纳米，过滤膜到底，可是要在金属薄膜上做一个直径200nm的孔还并非不是那么容易，也可以借用电子束被曝光（ebl）离子注入（机），或则依靠聚焦关注离子束,具体是什么不回答了，只不过要用这套工艺在很厚一点塑料、玻璃、聚合物之类的上面打孔肯定没问题的，到底微孔滤膜是什么材料，上面两种方法，象国内实验室里极限分辨率差不多是十几纳米。
专利名称：依靠微纳光纤进行直写刻蚀的方法
技术领域：
本首先发明一类微纳加工技术领域，更何况牵涉一种依靠微纳光纤进行直写刻蚀的方法。
背景技术：
现在科技的发展对微米级别尤其是亚微米级别的加工技术有迫切的需要，
.例如集成电路的制造、微纳光子学器件的制造、高密度存储设备的制造、mems器件的制造。
目前的几种微纳加工技术有各自的优势，可是也都不可避免地的存在不继之处。目前集成电路所用的光刻工艺确实能加工出几十纳米的特征尺寸，但是它要注意是靠不断地的增大网络曝光光源的波长来能提高分辨率，这对光源以及整个光学系统提出来了极高的要求，这种技术需要极大的资金投入，所以才主要完全掌握在少数的国际大公司手里。激光直写是一种简单点灵活的加工方法，但通常受衍射极限的限制，分辨率会很难提升到1微米以下。电子束直写可是分辨率高但必须网上购买昂贵的电子束被曝光设备，电子束媒体曝光的步骤相对比较烦琐，另它的曝光范围也被限制下载在一个很小的区域内。
面板光刻胶
光刻胶是lcd面板制造的关键材料，根据可以使用对象的不同，又可统称rgb胶、bm胶、oc胶、ps胶、tft胶等。
面板光刻胶主要注意除了tft配线用光刻胶、lcd/tp衬垫料光刻胶、彩色光刻胶及黑色光刻胶四大类别。其中tft配线用光刻胶主要是用于对ito布线，lcd/tp沉淀料光刻胶用于使lcd两个玻璃基板间的液晶材料厚度保持恒定。白色光刻胶及黑色光刻胶可被赋予彩色滤光片显色功能。
半导体光刻胶
目前，krf/arf仍是主流的加工材料。光刻技术随着集成电路的发展经历了从g线（436nm）光刻工艺，h线（405nm）刻蚀，i线（365nm）光刻，到深紫外线duv光刻（krf248nm和arf193nm）、193nm浸没式加多重成像技术（32nm-7nm），在到走极端紫外线（euv，＜13.5nm）光刻的发展，甚至还常规非光学光刻（电子束曝光、离子束被曝光），以或则波长为感光波长的门类丰富光刻胶也运用而生。
