这个不属于到电子运动与空穴运动的问题，半导体的pn节中有了电压，你加正反电压那是和他自身的电压参与中和。
p区是空穴导电，而且相反电压，也是非常电子从p区进入，电子进入到p区会填p型半导体，使导电微粒（载流子）减少，pn结加宽，在pn结中，n区的自由电子填上了p区的空穴，也让pn结中导电粒子一般很少，电阻太大。p区电子是没法泄入n区的，因n区有自由电子；这个最好是是看课本，毕竟它用图解就要好再理解。
dn450pn6法兰尺寸：外径是595mm，内径是484mm，厚度是30mm。
pn结是由p型半导体和n型半导体所接触自然形成的。结深这个概念的要注意在太阳能电池的pn结里面说过的比较好多，只不过晶体硅电池的pn结是在p型缸底的硅片上表面上扩散一层很薄一点n型半导体一般只有0.3-0.5um，这个n型薄层的厚度就叫做结深！
dn100pn100是凸凹面法兰连接钢制管法兰，压力为100bαr，公称直径为100mm，管子外径为108mm，法兰管直径为265mm
雪崩击穿和齐纳击穿的特点：
1、齐纳烧断比较多取决空间电荷区中的的最电场，而在碰撞电离机构中既与场强大小无关，也与载流子的碰撞提升过程或是。看样子空间电荷区愈宽，倍增次数愈盖，但雪崩刺透除与电场或是外，还与空间电荷区的宽度无关，它具体的要求pn结厚。
2、因为雪崩被击穿是碰撞电离的结果。要是我们以光照又或者是快速粒子轰落等办法，提升空间电荷区中的电子和空穴，它们则是会有倍增效应。而上述事项外界作用对齐纳击穿则不可能有确实影响。
3、由隧道效应判断的击穿电压，其温度系数是负的，即介电强度随温度升高而增大，这是导致温度升高禁带宽度减小的结果。而由雪崩倍增决定的击穿电压，因此碰撞电离率(电离率来表示一个载流子在电场作用下飘移单位距离所再产生的电子电子空穴对数目)随温度升高而大小改变，其温度系数是正的，即介电强度随温度升高而增强。
4、是对游离浓度较高势阱较薄的pn结，要注意是齐纳击穿。参杂较低再加之势阱较宽的pn结，要注意是雪崩刺透，但是击穿电压比较比较高。
